Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Experimental methods in semiconductor physics

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: 1100-4EMSP
Kod Erasmus / ISCED: 13.2 Kod klasyfikacyjny przedmiotu składa się z trzech do pięciu cyfr, przy czym trzy pierwsze oznaczają klasyfikację dziedziny wg. Listy kodów dziedzin obowiązującej w programie Socrates/Erasmus, czwarta (dotąd na ogół 0) – ewentualne uszczegółowienie informacji o dyscyplinie, piąta – stopień zaawansowania przedmiotu ustalony na podstawie roku studiów, dla którego przedmiot jest przeznaczony. / (0533) Fizyka Kod ISCED - Międzynarodowa Standardowa Klasyfikacja Kształcenia (International Standard Classification of Education) została opracowana przez UNESCO.
Nazwa przedmiotu: Experimental methods in semiconductor physics
Jednostka: Wydział Fizyki
Grupy: Physics (Studies in English), 2nd cycle; specialization courses
Physics (Studies in English); 2nd cycle
Strona przedmiotu: https://www.fuw.edu.pl/~babinski/InformacjaExperimental.htm
Punkty ECTS i inne: 3.00 Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.
Język prowadzenia: angielski
Kierunek podstawowy MISMaP:

fizyka

Skrócony opis:

A review of modern experimental techniques available for characterization of semiconductor materials and structures will be given.

The lecture will start with a short reminder of basic properties of solids with a special emphasis on semiconductors and their low-dimensional structures.

Next the following experimental methods will be addressed with some introduction on their physical backgrounds:

• Semiconductors, Semiconductor Nanostructures

• Growth Techniques

• Structural methods:

• Optical methods:

• Electrical methods:

• Measurements in magnetic fields

• Measurements in extreme conditions.

Pełny opis:

• Semiconductors, Semiconductor Nanostructures

• Growth Techniques

MOCVD, MBE

• Electrical methods:

Conductivity,

photocurrent,

capacitance methods: thermally stimulated capacitance (TSCap), deep level transient spectroscopy (DLTS).

• Measurements in magnetic field:

Hall effect,

quantum Hall effect,

Shubnikov de Haas oscillations of the conductivity,

resonance techniques: EPR, NMR, spin echo, ODMR.

• Measurements in extreme conditions:

High pressure, uniaxial stress,

Literatura:

J. H. Davis, The physics of low-dimensional semiconductors, an introduction, Cambridge University Press, 1998

P. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Physics and Materials Properties, Springer 1999

H.Ibach and H.Lüth, Solid State Physics, An Introduction to Principles of Materials Science, Springer 1995

Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures, C.Lamberti ed. Elsevier 2008

Metody i kryteria oceniania:

Oral examination

Praktyki zawodowe:

N/A

Zajęcia w cyklu "Semestr letni 2021/22" (zakończony)

Okres: 2022-02-21 - 2022-06-15
Wybrany podział planu:


powiększ
zobacz plan zajęć
Typ zajęć:
Wykład, 30 godzin więcej informacji
Koordynatorzy: Adam Babiński
Prowadzący grup: Adam Babiński
Lista studentów: (nie masz dostępu)
Zaliczenie: Przedmiot - Egzamin
Wykład - Egzamin
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Uniwersytet Warszawski, Wydział Fizyki.
ul. Pasteura 5, 02-093 Warszawa tel: +48 22 55 32 000 https://www.fuw.edu.pl/ kontakt deklaracja dostępności USOSweb 6.8.0.0-1 (2022-08-01)